石墨烯材料由于具有优异的物理性质，使得其在电子、光电等器件的应用中得到广泛使用。如今，大面积高质量单晶石墨烯薄膜材料的市场需求较大，以Cu为衬底的化学气相沉积法由于其实验合成简单以及合成效率高而受到了研究者的 日前，来自北京大学的彭海琳（通讯作者）和刘开辉（通讯作者）以及香港理工大学的DingFeng（通讯作者）等人报道了新的单晶石墨烯薄膜的超快合成方法，该方法可以使得石墨烯在Cu箔上的生长速率达60μms-1，研究人员将Cu箔置于氧化物衬底以上，之间的距离为大约15μm。这样氧化物衬底可以在石墨烯化学气相沉积的过程中向铜箔催化剂表面不间断提供氧，该过程可以明显降低碳原料的分解能量势垒，从而提高材料生长速率。研究人员使用该方法实现了在仅仅5s的时间内制备出了0.3mm的单晶石墨烯薄膜。
来源：材料人
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